存储器件

DRAM（动态随机存取存储器）

DRAM（动态随机存取器），又叫主存。是与CPU直接交换数据的内部存储器。

它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介，通过周期性刷新来保持数据的存储器件，断电丢失。

SRAM（静态随机存取存储器），静态随机存取存储器是是随机存取器的一种。所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以衡长保持。

Cache存储器一般采用静态随机访问存储器（SRAM）技术。比动态随机存储器（DARM）快，能够跟得上CPU的要求，弥合了CPU与主存之间的速度差距问题

EEPROM（电擦除可编程的只读存储器）与EPROM相似，EEPROM中的内容既可以读出，也可以进行改写。

FLASH（闪存），特性介于 EPROM 和 EEPROM，类似于 EEPROM。也可以使用电信号进行信息的擦除操作。整块闪存可以在数秒内删除。

与EEPROM不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写。

断电不丢失，属于非易失性存储器。由于其断电时扔能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息。

经常使用置换算法(Least Frequently Used,LFU)，需要对每一个也的使用次数进行持续计数，在置换时置换引用计数最小的页，因此计数器规模比较大。

最近最少使用(Least Recently Used,LRU)，算法相对合理，实现起来比较复杂，系统开销大，需要对每一块设置一个“年龄计数器”，用来记录该块的使用情况。

相对比而言，LFU的复杂度以及计数规模都比LRU大